Samsung comenzó la producción en masa de memorias DDR5 que se esta fabricando en el nodo EUV de 14 nm. Por ahora esta memoria es para servidores, supercomputadoras y servidores para grandes empresas, ofreciendo más del doble de rendimiento que la memoria DDR4.
Según Samsung, el nuevo nodo de proceso ayudará a la memoria DDR5 de 14 nm de Samsung a lograr un aumento sin precedentes en las velocidades generales. Actualmente, el proceso EUV de 14nm elevará las velocidades a 7.2 Gbps, que es más del doble de la velocidad ofrecida por las memorias DDR4 que es de 3.2 Gbps. La compañía enfoca la produccion de memoria DDR5 a 14 nm a centros de datos, supercomputadoras y aplicaciones para servidores empresariales. Esto permitiría a la empresa escalar la memoria DDR5 de 512 GB – 1 TB de capacidad a 768 GB y 1,5 TB de capacidad.
El proceso de 14 nm puede ayudar a reducir el consumo de energía en casi un 20%.
”Hemos liderado el mercado de DRAM durante casi tres décadas al ser pioneros en innovaciones tecnológicas”, dijo Jooyoung Lee, vicepresidente senior y director de tecnología y productos DRAM de Samsung Electronics. “Hoy, Samsung está estableciendo otro hito tecnológico con la tecnología EUV multicapa que ha permitido una miniaturización extrema a 14 nm, una hazaña que no es posible con el proceso convencional de fluoruro de argón (ArF). Sobre la base de este avance, continuaremos brindando las soluciones de memoria más diferenciadas al abordar por completo la necesidad de un mayor rendimiento y capacidad en el mundo basado en datos de 5G, AI y el metaverso.
A medida que la DRAM continúa reduciendo la tecnología de fabricación a 10 nm, la tecnología EUV se vuelve cada vez más importante para mejorar la calidad y lograr un mayor rendimiento. Al aplicar cinco capas EUV a las DRAM de 14 nm, Samsung ha logrado una mayor densidad de bits al tiempo que ha mejorado la productividad general de la oblea en aproximadamente un 20%. Además, el proceso de 14 nm puede ayudar a reducir el consumo de energía en casi un 20% en comparación con el nodo DRAM de la generación anterior (DDR4).
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[Información e imágenes tomadas de hd-tecnologia.com]