El nuevo estándar UFS 3.1 mejora el rendimiento de las memorias de alto rendimiento para móviles, así como el consumo energético de los futuros dispositivos de gama más modesta.
Pasados dos años de la publicación de la especificación oficial del estándar de memorias UFS 3.0, la JEDEC publica ahora su primera actualización, con algunas mejoras en sus capacidades técnicas. UFS 3.1 llega como un nuevo horizonte al que aspirar mientras el estándar más reciente termina de implantarse.
Mucho más rápido que los anteriores estándares eMMC, las memorias Universal Flash Storage vienen utilizándose desde que en 2015 pisara la calle el estándar UFS 2.0. Ahora la organización de especificaciones de tecnología de estado sólido, formada por más de 300 empresas del sector, anuncia las mejoras del nuevo estándar UFS 3.1, que llega con un nuevo complemento opcional para la mejora del rendimiento.
Memorias UFS 3.1, más rendimiento y eficiencia
El estándar principal de UFS 3.1 incluye una nueva memoria caché no volátil y de tipo SLC –un único nivel, o bit, por celda– que denominan Write Booster, y que “amplifica” la velocidad de escritura. Se añade además un nuevo estado de bajo consumo, al que denominan Deep Sleep, aunque este va dirigido a dispositivos de menor coste.
Samsung
Por último, se añade un indicador de throttling al dispositivo en el que se implementan. De esta forma, el smartphone será capaz de conocer cuándo la temperatura del chip de memoria se encuentra por encima del umbral, impidiendo su funcionamiento a máximo rendimiento. Esto es útil para dejar que sea el terminal el que controle o estime cuándo entrar en este estado.
En cuanto a la extensión del estándar, se define una extensión HPB o Host Performance Booster, con la opción de almacenar las direcciones físicas en la memoria RAM del sistema. Este sistema centrado en la memoria principal proporciona un cacheado más rápido que influye, según JEDEC, en el rendimiento de lectura del dispositivo. Especialmente además, cuanto mayor es la memoria del dispositivo.
Esta actualización no proporciona cifras concretas en torno al rendimiento debido a que se trata de una mejora relativamente menor del estándar de memoria ya establecido, y las especificaciones principales se mantienen. En cualquier caso, esperamos ver este estándar en la calle de cara a los principales dispositivos que sean presentados a lo largo de este mismo 2020, según afirma XDA-Developers.
Estos serán más robustos, consiguiendo altas velocidades de forma más estable, y eficientes en dispositivos que así lo deseen. Uno de los primeros candidatos sería el OnePlus 8 o los Galaxy Note 20.
Según Mian Quddus, el director del comité de memorias de la JEDEC, “las nuevas características introducidas con UFS 3.1 y UFS HPB ofrecerán a los diseñadores de productos una mayor flexibilidad en la gestión del consumo de energía y la mejora del rendimiento del dispositivo”.
UFS 3.0 fue utilizado por primera vez en los Galaxy Fold, OnePlus 7 y 7 Pro y Galaxy Note 10. Su rendimiento destacó entre los terminales que se conformaron con la tecnología predecesora, al permitir tanto apertura como instalación de aplicaciones apreciablemente más rápida. Samsung, uno de los principales fabricantes mundiales de semiconductores, podría ser de nuevo uno de los primeros en hacer llegar estos chips al mercado.
Te puede interesar: Este es el diseño final del Samsung Galaxy S20 Ultra, según varias fuentes
[Información e imágenes tomadas de hipertextual.com]