
SK Hynix anunció el inicio de la producción en masa a gran escala de su memoria DRAM de alto rendimiento HBM2E. Esta memoria soporta unas velocidades de transferencia de 460 GB (Gigabytes) por segundo con 1024 I/Os (Entradas/Salidas) basadas en el rendimiento de velocidad de 3,6 Gbps (gigabits por segundo) por pin. Según indicó la compañía, “...
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