Aunque el desarrollo de este tipo de memoria flash data desde hace ya casi 20 años, el desarrollo continuado de las tecnologías existentes para las memorias Flash y DRAM ha evitado la generalización de su uso, aunque sus defensores piensan que sus ventajas son tan evidentes que llegará el día en el que finalmente desbanquen a las memorias Flash y DRAM y pase a ser la memoria que todos utilizaremos en nuestros PCs.

¿Qué es la memoria flash MRAM?

MRAM son las siglas de Magnetoresistive Random Access Memory, o memoria de acceso aleatorio magnetoresistiva. Es un nuevo tipo de memoria que no cambia la manera de gestionar los datos, y sin embargo lo cambia todo. Y es que para empezar es una memoria no volátil, lo que significa que al apagar el PC los datos seguirán almacenados, demás de tener una increíble tasa de rendimiento por oblea, por lo que es mucho más económica de fabricar.

A diferencia de la memoria DRAM o Flash, los datos no se almacenan en las cargas eléctricas o flujos de corriente, sino por medio de elementos de almacenamiento magnético formados por dos discos ferromagnéticos, cada uno de los cuales mantiene un campo magnético.

Estos dos discos están separados por una capa aislante, y los datos binarios (los unos y los ceros) se interpretan porque uno de estos discos se coloca en un imán, mientras que el otro se mueve para adecuarse al campo del otro, cambiando de positivo a negativo. Un chip de memoria MRAM está formado por una malla de estas celdas.

¿Qué ventajas tiene este tipo de memoria frente a la actual?

La primera ventaja ya os la hemos dicho: al no ser volátil, puede mantener la información incluso si no hay energía de por medio, cuando apagamos el PC (según Intel es capaz de retener los datos durante 10 años a 200ºC). De la segunda ventaja también os hemos hablado: su rendimiento por oblea es muy superior (un 99,9%), así que es más barata de fabricar y por mucho. Además de esto, según Intel los tiempos de acceso son muy inferiores (en torno a 1 ns), así que también proporciona mejor rendimiento.

Estas memorias MRAM que siguen en desarrollo, se están fabricando con el proceso a 22 nm FFL de Intel, un nodo con una alta eficiencia. De acuerdo con la documentación del fabricante, cada celda de bits de MRAM por cada transistor (de 0,0486 um2) junto con la unión de túnel magnético ocupa una superficie de tan solo 216 x 225 nm2, lo que significa que las dimensiones de los «dispositivos objetivo» serían de entre 60 y 80 nm, permitiendo unas enormes variaciones de voltaje.

Esto es muy importante porque a mayor voltaje se consiguen menores tiempos de acceso, y es que a 0,9V la detección de lectura es de tan solo 4 ns, mientras que a 0,8V el tiempo sube al doble, 8 ns.

¿Cuándo y de qué manera llegará la MRAM?

En teoría la MRAM ya está lista para su producción en masa, así que nos resta esperar a ver cómo pretende Intel introducirla (y esperemos que no haga como con su fracasada memoria Optane) porque todavía no han presentado ningún plan para ello.

Sí que se sabe que lleva un año en producción, o al menos eso dijeron a primeros de 2019, así que desde luego o algo gordo tienen entre manos, o han decidido descartarlo finalmente, algo que no parece probable después de todos los esfuerzos puestos en su desarrollo y de lo prometedor que es su funcionamiento y, sobre todo, su rentabilidad.